[发明专利]形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202210553351.X | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115763263A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周家政;柯忠祁;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，以及对第一晶圆执行修整工艺。去除第一晶圆的边缘部分。在修整工艺之后，第一晶圆具有从第二晶圆的第二侧壁横向凹进的第一侧壁。沉积与第一晶圆的侧壁接触的保护层，其中，沉积工艺包括沉积与第一侧壁接触的不含氧材料。该方法还包括去除与第一晶圆重叠的保护层的水平部分，以及在第一晶圆上方形成互连结构，其中，互连结构电连接至第一晶圆中的集成电路器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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