[发明专利]具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件在审
| 申请号： | 202210553866.X | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114927569A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 黄义;王学成;王礼祥;王琦;陈伟中;严文生;张楠;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 方钟苑 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入区、P+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、N‑buffer区、金属衬底电极、金属集电极、金属发射极、栅极氧化层和多晶硅沟槽栅。本发明基于高可靠性的N型4H‑SiC衬底，深入漂移区的氧化层沟槽在器件正向阻断时辅助耗尽漂移区、同时减小了发射极和集电极之间的寄生电容；延伸到P‑epi层的沟槽栅结构提高了器件的栅氧可靠性，并且与其他器件隔离，简化了制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 sic 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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