[发明专利]低硅低氧三甲基铝提纯方法有效

专利信息
申请号: 202210555806.1 申请日: 2022-05-19
公开(公告)号: CN114835740B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 邢怀勇;朱熠;吉敏坤;郭锦源;孙明璐;陈化冰 申请(专利权)人: 江苏南大光电材料股份有限公司
主分类号: C07F5/06 分类号: C07F5/06
代理公司: 江苏圣典律师事务所 32237 代理人: 王玉国
地址: 215021 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及低硅低氧三甲基铝提纯方法,首先制备担载钾钠合金小球,利用担载钾钠合金小球对粗品三甲基铝处理;将担载钾钠合金小球与粗品三甲基铝分离;对处理后三甲基铝进行精馏;高纯三甲基铝杂质含量检测;使钾钠合金吸附在小球表面,加大钾钠合金与三甲基铝的接触和反应面积,担载钾钠合金小球在除杂反应容器中与粗品三甲基铝混合搅拌,或将担载钾钠合金小球置于层析/填料柱内,使三甲基铝通过层析/填料柱,通过小球高比表面对三甲基铝的吸附和脱附,小球表面的钾钠与三甲基铝的充分接触和反应,高效地除去三甲基铝中的有机硅杂及氧杂,处理后的三甲基铝溶液精馏,得到低硅低氧高纯三甲基铝产品;满足生产高性能化合物半导体材料指标要求。
搜索关键词: 低氧 甲基 提纯 方法
【主权项】:
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