[发明专利]低硅低氧三甲基铝提纯方法有效
申请号: | 202210555806.1 | 申请日: | 2022-05-19 |
公开(公告)号: | CN114835740B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 邢怀勇;朱熠;吉敏坤;郭锦源;孙明璐;陈化冰 | 申请(专利权)人: | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
主分类号: | C07F5/06 | 分类号: | C07F5/06 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 王玉国 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及低硅低氧三甲基铝提纯方法,首先制备担载钾钠合金小球,利用担载钾钠合金小球对粗品三甲基铝处理;将担载钾钠合金小球与粗品三甲基铝分离;对处理后三甲基铝进行精馏;高纯三甲基铝杂质含量检测;使钾钠合金吸附在小球表面,加大钾钠合金与三甲基铝的接触和反应面积,担载钾钠合金小球在除杂反应容器中与粗品三甲基铝混合搅拌,或将担载钾钠合金小球置于层析/填料柱内,使三甲基铝通过层析/填料柱,通过小球高比表面对三甲基铝的吸附和脱附,小球表面的钾钠与三甲基铝的充分接触和反应,高效地除去三甲基铝中的有机硅杂及氧杂,处理后的三甲基铝溶液精馏,得到低硅低氧高纯三甲基铝产品;满足生产高性能化合物半导体材料指标要求。 | ||
搜索关键词: | 低氧 甲基 提纯 方法 | ||
【主权项】:
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