[发明专利]一种半导体器件局域寿命控制方法有效
| 申请号： | 202210559291.2 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114639599B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海汉盛律师事务所 31316 | 代理人： | 韩雪松;管雨 |
| 地址： | 226019 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件局域寿命控制方法，所述半导体器件至少包含一组两个不同导电类型，在所述半导体器件中加入至少两种材料，其中第一种材料的少子寿命相对第二种材料的少子寿命要长；利用少子寿命相对短的所述第二种材料来实现局域寿命控制；所述第二种材料是完全第二导电类型掺杂或者至少包含一部分第二导电类型掺杂。经本申请实现局域寿命控制，它能够降低其二极管在反向恢复中存贮的载流子数目，降低反向恢复过程中的最大反向恢复电流，提高反向恢复的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 局域 寿命 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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