[发明专利]电子晶体自旋场效应晶体管及制造方法和应用在审
| 申请号： | 202210560923.7 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114944424A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 林彬;王国庆;骆小谚 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/778;H01L29/66;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域、新型材料领域和电子信息领域，提供了电子晶体自旋场效应晶体管及制造方法和应用，能够实现高速度、高性能、低功耗、柔性和原子尺度的自旋场效应晶体管；本发明制造的自旋场效应晶体管，不仅可集成度高，可解决传统集成电路系统中尺寸大、功耗高、应用场景受限等问题，也可以为大尺寸场效应晶体管或者集成电路关键零部件材料提供新的思路；本发明采用电子晶体作为自旋场效应晶体管的核心组件，具有原子尺度、灵敏度高、隧穿磁阻大、功耗低和稳定性高、柔性和机械性能等优点，同时成本低廉，制造工艺成熟，作为商业化用途潜力巨大。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 晶体 自旋 场效应 晶体管 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210560923.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
