[发明专利]一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202210565204.4 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115084268A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;张力公 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 谷波 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：常规金属、冷金属、第一绝缘掩蔽层和源端；常规金属通过冷金属与源端相连，用于连接外加电压，引入电流；冷金属为附着在第一绝缘掩蔽层和源端上的一薄层，用于过滤常规金属引入的电流中的高能量载流子；第一绝缘掩蔽层在常规金属和源端之间，用于隔开常规金属与源端，防止电流中的电子隧穿至源端。通过将常规金属与源端通过第一绝缘掩蔽层分隔，使用冷金属连接被分隔的常规金属和源端，能够过滤亚阈值区域的高能载流子，同时防止电子从常规金属隧穿至源端，使冷源结构失效，冷源结构可使亚阈值电流在亚阈值区的斜率变陡，实现超陡亚阈值摆幅，提升开关性能，降低功耗，不影响晶体管开态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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