[发明专利]具有半圆漏极侧选择栅极的存储器装置中的次级交叉耦合效应及对策

摘要

本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该存储装置包括连接到字线并且被布置成串的存储器单元。这些存储器单元被配置为保持对应于存储器状态的阈值电压。这些串中的每一个串具有位于这些串中的该一个串的漏极侧上的漏极侧选择栅极晶体管，这些串中的该一个串包括连接到位线并且耦合到这些串中的该一个串的这些存储器单元的顶部漏极侧选择栅极晶体管。控制装置耦合到这些字线和这些位线，并且被配置为在存储器操作期间，将未经选择的顶部电压施加到这些顶部漏极侧选择栅极晶体管中的未经选择的顶部漏极侧选择栅极晶体管。该控制装置还被配置为在该存储器操作期间，将所选顶部电压同时施加到所选顶部漏极侧选择栅极晶体管。该未经选择的顶部电压在电气上与该所选顶部电压有意地不同。