[发明专利]一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构在审

专利信息
申请号: 202210577918.7 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN114883425A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 赵雷;王文静 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 霍苗
地址: 100190 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域,尤其涉及一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构。本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池的迎光面结构,包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层;在所述界面钝化层的表面进行线状选区设置载流子选择性接触表面场层,未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置电学隔离层;所述载流子选择性接触表面场层能够取出所述晶硅衬底中的多子;所述载流子选择性接触表面场层的表面设置透明导电电极层;所述电学隔离层和透明导电电极层的表面设置栅状金属电极;所述栅状金属电极的栅线取向与所述透明导电电极层的线取向相垂直。所述晶硅异质结太阳电池的迎光面结构可以很好的提高晶硅异质结太阳电池的短路电流密度。
搜索关键词: 一种 晶硅异质结 太阳电池 光面 结构
【主权项】:
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