[发明专利]提升转换效率的沟槽型RC-IGBT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202210579854.4 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114823886A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晓鸾;李哲锋;李磊;孔凡标;许生根 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升转换效率的沟槽型RC‑IGBT器件及制备方法。其包括半导体衬底以及元胞区，所述元胞包括依次排布的元胞第一沟槽、元胞第二沟槽、元胞第三沟槽、元胞第四沟槽以及元胞第五沟槽，在元胞第一沟槽、元胞第二沟槽、元胞第三沟槽、元胞第四沟槽以及元胞第五沟槽内均填充有沟槽导电多晶硅；填充于元胞第一沟槽、元胞第二沟槽、元胞第四元胞沟槽以及元胞第五沟槽内相应的沟槽导电多晶硅均与发射极金属层欧姆接触，填充于元胞第三沟槽内的沟槽导电多晶硅与栅极金属层欧姆接触。本发明在不影响RC‑IGBT中IGBT性能的情况下，有效的降低FRD工作模式的工作损耗，提升系统的转换效率，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 转换 效率 沟槽 rc igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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