[发明专利]薄膜生长装置、方法及二氧化钒薄膜生长方法有效
申请号: | 202210581138.X | 申请日: | 2022-05-26 |
公开(公告)号: | CN114934265B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 王云鹏;赵东旭;王飞;范翊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 陈陶 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明涉及纳米材料薄膜生长技术领域,具体涉及一种薄膜生长装置及薄膜生长方法;尤其涉及一种二氧化钒薄膜生长方法;薄膜生长装置包括散热旋转台、载物旋转盘、石英管、管式炉、直角喷雾脉冲控制架和纳米喷雾器;纳米喷雾器的喷嘴垂直于载物旋转盘;载物旋转盘与散热旋转台连接,散热旋转台旋转,带动载物旋转盘运动;载物旋转盘上设有多个载物槽;石英管上设有第一侧开槽,管式炉上设有第二侧开槽;石英管穿设于管式炉中,第一侧开槽与第二侧开槽匹配;载物旋转盘上的至少一个载物槽位于第一侧开槽内。通过本发明的薄膜生长装置及方法生长二氧化钒薄膜,生长效率更高,且所得到的二氧化钒薄膜具备中红外光开关效应。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 生长 装置 方法 氧化 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的