[发明专利]一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺在审
| 申请号： | 202210582973.5 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115016063A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王磊;曲迪;李宗宴;付通;王谦;于帅;宋学颖 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，属于光芯片加工技术领域，包括：一、准备LNOI片；二、旋涂HSQ/ZEP：在LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，ZEP为底层胶；对ZEP的厚度进行调控；三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光的HSQ；四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控；五、分步刻蚀LN：首先利用CHF |
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| 搜索关键词： | 一种 双层 胶掩膜 分步 刻蚀 纳米 精度 波导 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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