[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构

摘要

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，在基底上形成多层有源层和牺牲层，有源层和牺牲层交替设置；相邻两层有源层构成有源组；有源组内的有源层之间具有第一间距，相邻有源组之间具有第二间距，第一间距大于第二间距；形成隔离层，隔离层贯穿所有有源层和所有牺牲层，将每层有源层分割为多个有源结构；去除位于字线区的隔离层和牺牲层；在字线区形成第一介质层，第一介质层覆盖有源层的表面，还位于同一层相邻的有源结构之间以及相邻有源组之间；在字线区形成字线，字线位于有源组内的有源层之间，每一字线横跨位于同一层的多个有源结构。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。