[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜、电容结构、晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202210585655.4 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114988470A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 周益春;包克瑜;曾斌建;廖佳佳;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G27/02 | 分类号： | C01G27/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 张鑫垚 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜、电容结构、晶体管及制备方法，氧化铪基铁电薄膜包括：依次层叠设置的第一掺杂氧化铪基铁电薄膜层、第二掺杂氧化铪基铁电薄膜层和第三掺杂氧化铪基铁电薄膜层；所述第一掺杂氧化铪基铁电薄膜层的材质为：Hf |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化 铪基铁电 薄膜 电容 结构 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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