[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片在审

专利信息
申请号: 202210591840.4 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN114895396A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20;G02B5/26;G02B1/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片,包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列;所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱,所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构,所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同;所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。进一步,本发明还提出制备上述可调谐的红外窄带滤光片的方法。本发明在红外波段可以实现反射型窄带滤光片,并且滤光片的工作波长可以通过锗锑碲相变动态调节。
搜索关键词: 基于 锗锑碲 复合 纳米 阵列 调谐 红外 窄带 滤光
【主权项】:
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