[发明专利]存储器器件及其制造方法和系统在审
| 申请号： | 202210594493.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115020325A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;周文斌;张磊;阳涵;黄攀;卢峰;徐文祥;夏正亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杜娟;骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器器件及其制造方法和系统，该存储器器件包括：提供半导体结构，半导体结构包括堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的牺牲层和电介质层，堆叠层包括沿第一方向相邻分布的第一区域和第二区域，第二区域包括贯穿堆叠层的多个沟道结构；在堆叠层的顶部形成顶部盖层；在第一区域中形成贯穿顶部盖层的多个开口，并同时在第二区域中形成贯穿顶部盖层并到达多个沟道结构的顶端的多个第二接触孔，其中，多个开口对应于多个第一接触孔，每个第一接触孔贯穿堆叠层中的若干层而分别到达各自预定深度的牺牲层；在每个第一接触孔中形成第一接触结构，以及在每个第二接触孔中形成第二接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 及其 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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