[发明专利]降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法有效
| 申请号： | 202210604027.6 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114921846B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 魏兴彤;闫龙;芮阳;张昆;徐慶晧;王黎光;曹启刚 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低重掺锑100单晶杂质条纹的方法，属于硅片加工技术领域，本发明在晶棒拉制时，通过控制晶棒的拉速以控制晶棒的生长界面，将凹向溶体的生长界面控制为水平状或凸状，以使晶棒生长界面的凝固时间相同，进而在垂直生长轴方向的切割方向上，径向的凝固时间相同，使得杂质在各点的浓度一致，进而在CP腐蚀后的Wafer表面不会出现同心圆或偏心圆环纹，使得产品的良率不会被降低。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 重掺锑 100 杂质 条纹 方法 | ||
【主权项】：
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