[发明专利]一种超高密度连接系统三维扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210604145.7 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115206948A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超高密度连接系统三维扇出型封装结构及其制作方法，结构包括第一绝缘层、第一金属焊垫、金属柱、第一半导体芯片、第二绝缘层、第二金属焊垫、第一模塑层、第一重新布线层、第二半导体芯片、第二模塑层、第二重新布线层及焊球。该结构使用RDL first制程，第一、第二金属焊垫之间为非焊接界面，可以实现10um甚至5um以下的间距键合，远小于传统焊接间距，从而增加I/O封装数量，完成高密度高集成度的器件封装。另外，本发明可以同时整合毫米波天线/电容/电感/电晶体/GPU/PMU/DDR/闪存/滤波器等各种电子芯片和元器件，实现高性能系统级封装，灵活性更高且具有广泛的相容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 密度 连接 系统 三维 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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