[发明专利]一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构在审
| 申请号： | 202210605096.9 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115000152A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘超;夏云;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，包括漏极结构、耐压层结构以及源极结构，在耐压层结构的表面设置有p+短路区(9)、n+短路区(10)、浮空金属(11)，p+短路区(9)、n+短路区(10)相邻设置，所述p+短路区(9)位于p型漂移区(4)上表面且远离源极一侧；所述n+短路区(10)位于n型漂移区(3)上表面且远离源极一侧；所述浮空金属(11)同时与p+短路区(9)和n+短路区(10)上表面接触；本发明具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，降低了反向恢复过程中漂移区内空穴的积累，从而改善了其反向恢复特性，减少了反向恢复功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 恢复 电荷 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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