[发明专利]一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210609538.7 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115084362A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人： | 孟海娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控，完成时间与空间信息调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 结构 神经 突触 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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