[发明专利]一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法在审
申请号: | 202210609621.4 | 申请日: | 2022-05-31 |
公开(公告)号: | CN115084364A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G06N3/063;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京得信知识产权代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法。该太赫兹神经突触忆阻器件包括:衬底;有源区,形成在所述衬底上;两个电极,其为叉指状,包括测试部和指状部,两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧,指状部以一定间隔交错排列在所述有源区上,并且相邻指状部间的间距控制在纳米级;将两个电极分别作为神经突触的突触前端和突触后端,在突触前端施加高频电压信号作为神经突触的激励源,对突触后端的电流信号响应进行采集,从而实现太赫兹神经形态计算功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫兹 神经 突触 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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