[发明专利]一种掺杂金属氧化物复合层结构有效

专利信息
申请号: 202210623053.3 申请日: 2022-06-02
公开(公告)号: CN115172602B 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 杨新波;苏兆俊;张晓宏 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H10K30/85 分类号: H10K30/85;H10K30/86;H10K30/88;H10K30/50;H10K39/15
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 夏苏娟
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种原子层沉积(ALD)掺杂金属氧化物复合层结构。本发明给出一种基于ALD连续沉积的宽禁带掺杂金属氧化物隧穿结,该结构包括一层ALD沉积金属氧化物电子传输层(包括TiO2,ZnO或SnO2)和一层ALD沉积掺杂氧化镍空穴传输层。该复合层结构用于钙钛矿钙钛矿叠层太阳能电池,具有寄生吸收小、沉积损伤低、保型沉积、漏电流小的优点,既可以有效的降低寄生吸收损失和漏电流,还可以减小沉积损伤,进而提升晶硅/钙钛矿叠层电池的光电转化效率。
搜索关键词: 一种 掺杂 金属 氧化物 复合 结构
【主权项】:
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