[发明专利]一种旁热式SnO2

摘要

本发明公开了一种旁热式SnO2半导体甲烷气体传感器及其制备方法，包括氧化铝陶瓷管，在氧化铝陶瓷管外表面设有金电极，金电极上连接有信号引出电极，在所述氧化铝陶瓷管外表面和金电极上涂覆有采用含有纳米SnO2粉末制成的半导体氧化物气敏层，在氧化铝陶瓷管内设有加热电极。本发明采用超声辅助化学沉淀法制备出高质量的纳米SnO2粉末，SnO2粒径尺寸更小，且不易发生团聚，SnO2具有更大的比表面积。另外，通过掺杂贵金属纳米颗粒显著增强SnO2气敏材料表面对目标气体分子的吸附能力，提升了气敏元件的灵敏度和选择性；同时掺杂纳米氧化物颗粒显著降低了气敏元件的初始阻值和稳定性。本发明得到的旁热式SnO2半导体甲烷气体传感器具有较低的初始阻值、优异的响应灵敏度、优良的选择性和稳定性、快速的响应/恢复特性。