[发明专利]阻变随机存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210628635.0 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115394912A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 仇圣棻;陈亮;李晓波;杨芸;潘国华;曹恒 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 311305 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变随机存储器及其制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上填充介电材料层，介电材料层填充在相连两ReRAM切换层之间，并覆盖ReRAM切换层设置；在介电材料层上设置下电极的金属接触，金属接触延伸至相邻的两个ReRAM切换层之间，以形成阻变随机存储器。利用上述的发明能够提高存储单元密度，避免蚀刻工艺对结构造成的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 随机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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