[发明专利]多层薄膜界面应力与残留应力的量测方法及装置在审
| 申请号： | 202210629383.3 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115235665A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 田春林 | 申请（专利权）人： | 逢甲大学 |
| 主分类号： | G01L5/00 | 分类号： | G01L5/00;G01N13/00;G06F17/10 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 吳襄帥 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明主要揭示一种多层薄膜界面应力与残留应力量测方法及装置，其中，所述装置为一太曼格林干涉仪，且操作所述太曼格林干涉仪完成一量测程序即可自一具多层薄膜结构的光电元件量测出一多层薄膜的残留应力。所述量测程序包括：(1)量测所述光电元件的各层薄膜的残留应力；(2)依据上述步骤(1)所测得的各层薄膜的残留应力计算出二种界面应力，其中任二层薄膜之间是存在着前述的任一种界面应力；(3)使用Ennos数学运算式进而依据各层薄膜的膜厚及残留应力计算出一第一数值；(4)依据所述多层薄膜结构的薄膜层数、各层薄膜的膜厚以及二种界面应力(FHL,FLH)计算出一第二数值；以及(5)对所述第一数值和所述第二数值执行一加法运算以获得一多层薄膜的残留应力。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 薄膜 界面 应力 残留 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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