[发明专利]离子束刻蚀方法及芯片在审
| 申请号： | 202210635650.8 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115050635A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 田金鹏;张文伟;杨光帅;侯文宇;贾原;宋秋明 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) 44507 | 代理人： | 张传义 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及芯片制造技术领域，具体公开一种离子束刻蚀方法和芯片。其中，所述离子束刻蚀方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料；在所述材料的上表面覆盖光刻胶，所述光刻胶包括第一光刻胶和第二光刻胶，将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种；通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理。通过该方法解决了现有光刻技术后续除胶困难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 刻蚀 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
