[发明专利]一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺在审
| 申请号： | 202210641601.5 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064484A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 谭博 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，先进行离子植入，再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成氮化硅侧壁。本发明提供的一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺通过在接触孔中填充氮氧化硅层再蚀刻的方式，可以在氮化硅侧壁的内部形成一层氮氧化硅侧壁，对原本处于氮化硅侧壁内部的接触孔开口进行微缩，使得接触孔开口微缩在氮氧化硅侧壁的内部，在晶圆上方所形成的接触孔开口更小，无需高精度的接触孔蚀刻设备即可获得更小的接触孔，有效的提升工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 侧壁 开口 微缩 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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