[发明专利]基于可伐合金的MEMS惯性器件低应力封装结构及方法在审

专利信息
申请号: 202210647413.3 申请日: 2022-06-09
公开(公告)号: CN115092877A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 夏国明;童朝浩;施芹;裘安萍;赵阳 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 汪清
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于可伐合金的MEMS惯性器件低应力封装结构及方法,结构包括ASIC芯片、MEMS传感器芯片、过渡件、PCB板、金针、管壳和管壳上盖;ASIC芯片粘在MEMS传感器芯片上;MEMS传感器芯片粘在过渡件上;过渡件焊接在管壳上;PCB板位于管壳内部;PCB板中心设有空腔,空腔边缘附近设有若干第一焊盘;PCB板上开有若干第一通孔,第一通孔边缘设有若干第二焊盘;管壳上开有若干第二通孔,第二通孔与第一通孔位置对应;金针穿过第二通孔通过玻璃绝缘子与管壳相连;金针穿过第一通孔与PCB板上的第二焊盘相连;管壳上盖与管壳固连;该封装结构能够有效的减小封装应力对MEMS惯性器件的影响。
搜索关键词: 基于 合金 mems 惯性 器件 应力 封装 结构 方法
【主权项】:
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