[发明专利]图像传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210647954.6 申请日: 2022-06-08
公开(公告)号: CN114927537A 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 董立群;肖海波;林率兵 申请(专利权)人: 豪威集成电路(成都)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/311
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 尤彩红
地址: 610041 四川省成都市中国(四川)自*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种图像传感器及其制造方法,包括:提供衬底,衬底具有相对的第一表面和第二表面;执行干法刻蚀,形成前段沟槽;执行湿法刻蚀,将前段沟槽向第二表面一侧(下)以及侧向刻蚀形成后段沟槽;前段沟槽和后段沟槽构成栅极沟槽;形成栅极,栅极纵向部填充在栅极沟槽中。本发明的栅极结构,一方面和同样开口尺寸的垂直栅极结构相比,后段沟槽的截面宽度从第一表面一侧到第二表面一侧逐渐变大,即将栅极沟槽的底部尺寸做大从而增大电子底部传输表面积,以提高底部电子传输效率,增加满井容量;另一方面和仅采用干法刻蚀形成的同样深度的垂直栅结构相比,采用先干法后湿法刻蚀可减少干法刻蚀带来的等离子损伤,减少白像素,提高像素质量。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
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