[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202210650747.6 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN115249654A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 吴少均;张永丰;谢东衡;杨宝如 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种方法包括形成从基底突出的第一和第二半导体鳍部。第一和第二半导体鳍部各包括交替的通道层和非通道层的一堆叠。方法还包括在第一和第二半导体鳍部之间形成一介电头盔，在介电头盔上形成一虚置栅极堆叠，图案化虚置栅极堆叠以暴露出一部分的介电头盔，去除介电头盔的暴露部分，以及形成一金属栅极结构使得介电头盔的留下部分是分隔位于第一和第二半导体鳍部之间的金属栅极结构。方法还包括在金属栅极结构的一部分的上方形成一接触部件。此接触部件的一侧壁位于第一半导体鳍部或第二半导体鳍部之一者与介电头盔的留下部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210650747.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于不连续接收的方法和装置
- 下一篇：用于制作组合物体的方法以及组合物体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
