[发明专利]制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法在审
| 申请号： | 202210651918.7 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115020556A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;张东祺;陶涛;邵鹏飞;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高发光效率AlGaN纳米柱LED结构的方法，在常规衬底上生长n型GaN纳米柱及n型AlGaN纳米柱，再生长非掺“AlGaN阱‑AlGaN垒”量子阱结构，最后生长p型AlGaN纳米柱。通过优化获得高质量的n型掺杂GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长n型掺杂AlGaN纳米柱，非掺AlGaN量子阱结构作为载流子复合有源区，最后再次生长p型掺杂AlGaN纳米柱。本发明在生长量子阱结构之前生长一段时间AlGaN纳米柱，在AlGaN纳米柱上外延量子阱结构，从而获得高质量的AlGaN量子阱。避免直接在GaN纳米柱外延AlGaN量子阱，可减少由于GaN/AlGaN之间应力导致的发光质量下降问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 发光 效率 algan 纳米 led 结构 方法 | ||
【主权项】：
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