[发明专利]套刻误差测量方法和设备及半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202210657056.9 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115903393A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李在镒;罗暻朝 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种用于在一起使用深紫外(DUV)设备和极紫外(EUV)设备的环境中准确地测量并校正套刻误差的套刻误差测量方法、一种使用所述套刻误差测量方法的半导体器件制造方法和一种套刻误差测量设备。所述套刻误差测量方法包括基于固定位置执行多个层中的至少一个层的套刻标记的位置的绝对测量，其中通过使用所述DUV设备来对所述多个层中的第一层执行曝光工艺，并且通过使用所述EUV设备来对所述多个层中的第n层执行曝光工艺，所述第n层是所述多个层中的最上层。 | ||
| 搜索关键词： | 误差 测量方法 设备 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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