[发明专利]一种垂直结构的NiO/Ga2 在审
| 申请号： | 202210661297.0 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN115084224A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;杨晔芸;巩贺贺;郁鑫鑫;任芳芳;顾书林;张荣 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/267;H01L29/80;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提出一种垂直结构的NiO/Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 nio ga base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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