[发明专利]一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡（ITO）膜的方法在审
| 申请号： | 202210661337.1 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN115763246A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 郑小睿;尚鸿鹏;郭一君;顾洪成;顾忠泽 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;B81C1/00;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 李维盈;严彩霞 |
| 地址： | 310024 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，包括以下步骤：在ITO玻璃的ITO膜上形成图案化金属硬掩膜层；对ITO膜进行干法刻蚀；去除金属硬掩膜层。本发明的使用金属硬掩膜的干法刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，能够改善刻蚀的精度并明显改善ITO边缘高精度的刻蚀效果，满足后续光刻工艺中套刻对准的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 金属 硬掩膜 刻蚀 氧化 ito 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西湖大学，未经西湖大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210661337.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
