[发明专利]用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法有效
| 申请号： | 202210663628.4 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN114758948B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王科;夏远洋;李亦衡;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02;H01L21/335;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法。该方法在生长AlN形核层之前通过低温预通Ga源‑高温挥发的循环工艺去除SiC衬底表面的氧化层，以能够有效减少AlN和SiC衬底界面附近外延层中氧杂质浓度，提高GaN外延层的结晶质量，并防止氧原子向GaN外延层扩散，提高GaN外延层的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 绝缘 gan 外延 生长 sic 衬底 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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