[发明专利]片上双程增益光放大装置及其制备方法在审
| 申请号： | 202210665255.4 | 申请日： | 2022-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN115051241A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 石文奇;邹灿文;曹玉莲;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50;H01S5/026;H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种片上双程增益光放大装置及其制备方法，装置包括：硅基马赫‑曾德尔干涉仪和半导体光放大器；其中，硅基马赫‑曾德尔干涉仪包括：长臂硅波导和短臂硅波导；长臂硅波导与半导体光放大器相连接，用于输入信号光，并耦合信号光到半导体光放大器中；半导体光放大器用于对信号光进行放大，得到放大的信号光，以及耦合放大的信号光到长臂硅波导中；短臂硅波导用于从长臂硅波导中耦合出放大的信号光，并输出放大的信号光；半导体光放大器靠近长臂硅波导的一端镀有增透膜以防止半导体光放大器自身的激射，远离长臂硅波导的一端镀有增反膜以反射放大的信号光。本公开的装置实现了信号光的双程增益，以及片上SOA的单端输入输出。 | ||
| 搜索关键词： | 双程 增益 放大 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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