[发明专利]可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构在审
| 申请号： | 202210669459.5 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115274841A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 庚润;田志;姬峰;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离，第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层，第二N型离子注入层一部分横跨N阱和P阱，第二N型离子注入层另一部分位于P阱；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离。本发明可以降低触发电压；提高维持电压；调整触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 维持 电压 触发 整流器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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