[发明专利]具有均匀导通路径的可控低触发电压硅控整流器结构

摘要

本发明提供一种具有均匀导通路径的可控低触发电压硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三、四浅沟槽隔离，第三、第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离，使得第二P型离子注入层和第二N型离子注入层两者相靠近的一侧分别交叉对半横跨过N阱和P阱的交界处。本发明可以降低触发电压；提高维持电压；调整触发电压。