[发明专利]一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法有效
申请号: | 202210673216.9 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN115044973B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 张森;刘康;刘本建;赵继文;李一村;郝晓斌;代兵;朱嘉琦;韩杰才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/04 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法,本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高,色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法:一、清洗;二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜,复合金属膜呈间隔的条纹状;三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内,启动微波发生器,升高气压和功率,使金刚石表面温度达到700~1000℃,通入甲烷和掺杂元素气体,进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案,通过CVD原位沉积横向外延生长,工艺流程简单,制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品,从而有效提升色心的自旋相干性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 金刚石 表面 金属 阵列 外延 生长 获得 局域 增强 色心 发光 方法 | ||
【主权项】:
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