[发明专利]一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法在审
| 申请号： | 202210677774.2 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115241293A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈晓伦;朱涛;韩笑;崔鹏;李建立;朱瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏新顺微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/167;H01L21/265;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 214431 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法。一种高速软恢复高压肖特基二极管器件，包括硅衬底；硅衬底背面设置有背面电极金属层，背面电极金属层上方设置有交替排列的第一掺杂区以及第二掺杂区；第一掺杂区与第二掺杂区的上方设置有第三掺杂区；硅衬底的上侧设置有第四掺杂区，第四掺杂区内设置有第五掺杂区；第四掺杂区以及相邻的第四掺杂区之间硅衬底上方设置有作为肖特基势垒的金属硅化物层；第四掺杂区右侧设置有第六掺杂区；第四掺杂区右方区域上方设置有二氧化硅层。金属硅化物层、二氧化硅层上方设置有正面电极金属层；在正面电极金属层、二氧化硅层上方设置有氮化硅钝化层。本发明降低了反向恢复时间，提高了开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 恢复 高压 肖特基 二极管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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