[发明专利]一种在石墨基材料表面生长TaC涂层的方法

摘要

本发明公开一种在石墨基材料表面生长TaC涂层的方法，涉及第三代半导体晶体生长领域：以Ta2O5和碳源气体为反应原料；在1900‑2200℃时将部分Ta2O5粉末气化形成蒸气，随Ar气沉积在石墨基材料表面并与其表面的碳元素直接原位反应生成TaC内涂层；再通入碳源气体，与Ta2O5蒸气反应并沉积在TaC内涂层上，形成TaC外涂层，并通过增加Ar气和碳源气体的流量进行表面致密处理。本发明通过控制碳源与Ar气的流量比例，可以得到微孔TaC内涂层‑中孔以上的TaC外涂层过渡结构，且TaC内涂层的堆积密度高于TaC外涂层，这种不同堆积密度、不同孔径的多孔过渡结构能有效减缓应力释放的速度，在应力变化时能缓解热膨胀带来的体积变化，从而使涂层更加抗微裂纹、抗侵蚀。