[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210692894.X | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN116056449A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金俊植 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造能够改善相邻单元之间的字线干扰的半导体器件的方法。根据本发明，半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上限定多个有源区并且包括第一区域和第二区域，多个有源区在第一方向上通过具有第一间距的第一区域和具有第二间距的第二区域隔开，第二间距大于第一间距；栅沟槽，其在第一方向上延伸以穿过有源区以及器件隔离层的第一区域和第二区域；以及掩埋字线，其对栅沟槽进行间隙填充，其中，设置在栅沟槽下方的器件隔离层的第一区域由第一绝缘层形成，以及其中，设置在栅沟槽下方的器件隔离层的第二区域由第一绝缘层和第二绝缘层的堆叠结构形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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