[发明专利]一种基于逆向设计的粗波分复用硅光发射芯片有效

专利信息
申请号: 202210696520.5 申请日: 2022-06-20
公开(公告)号: CN114779398B 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 王继厚;余辉;尹坤;柴田;应小俊;刘士圆;郭清水 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12;G02B6/293
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 邱启旺
地址: 310023 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于逆向设计的粗波分复用硅光发射芯片,包括:若干依次连接的垂直耦合光栅、多模干涉器和串联推挽型调制器、逆向设计的粗波分复用器和光发射芯片输出端。该芯片可用在光模块中的光发射芯片,在较小器件尺寸下能够对高速电信号调制,解决了器件插入损耗较大、尺寸较大和调制带宽较低等问题。逆向设计的垂直耦合光栅减小耦合损耗且适当的减小尺寸,耦合损耗约‑1.8 dB,耦合区长度仅为10‑15μm;串联推挽调制器有效增大器件的调制带宽,电光带宽可超过35 GHz;逆向设计的粗波分复用器明显减小器件的尺寸,器件尺寸小于15×15μm2,信道间串扰较小,小于‑16 dB。提出的器件具有尺寸小、耦合效率高、电光带宽高和低串扰等优势。
搜索关键词: 一种 基于 逆向 设计 粗波分复用硅光 发射 芯片
【主权项】:
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