[发明专利]一种单晶硅微纳双尺度减反射绒面及其制备方法在审
申请号: | 202210697039.8 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN115000203A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 黄传真;刘雪飞;刘含莲;姚鹏;朱洪涛;邹斌;刘盾;王军;王真;徐龙华;黄水泉 | 申请(专利权)人: | 山东大学;燕山大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L21/268 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 张晓鹏 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种单晶硅微纳双尺度减反射绒面及其制备方法,该制备方法将纳秒激光辅助水射流近无损伤加工和飞秒激光扫描相结合,通过将纳秒激光辅助水射流近无损伤加工技术和超短脉冲飞秒激光“冷”加工技术相结合,可有效降低单晶硅激光制绒过程中的重铸层现象和热裂纹引起的亚表面损伤;同时通过调整纳秒激光辅助水射流工艺参数和飞秒激光工艺参数可以对微米尺度框架结构和纳米尺度结构分别进行灵活的修改,可以在一个微纳双尺度混合结构中同时实现几何陷光效应和有效介质效应,减少表面反射。 | ||
搜索关键词: | 一种 单晶硅 微纳双 尺度 反射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的