[发明专利]三氧化孔垂直腔面发射激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 202210700473.7 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114865453A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 董旭;熊敏;朱杰 | 申请（专利权）人： | 苏州镓港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三氧化孔垂直腔面发射激光器结构及其制作方法，本发明专利提出的三个氧化孔限制层结构全部置于激光谐振腔内光场形成的驻波振荡的波节位置，其中量子阱两侧的1/4λ光学厚度处的第一和第二氧化限制层，对量子阱形成的较强的光学和电学限制，高铝组分氧化限制层可以对量子阱内电子形成更高的势垒阻挡，可有效阻挡量子阱内电子外泄，同时通过氧化孔径的高阻并联结构进一步限制电流注入区域，可提高量子阱内部区域电流注入的均匀性。在光学方面，第一和第二处氧化孔形成类似折射率引导型光纤，氧化孔区域等效为光纤包覆层可初步限制高阶模的产生，通过相对第一和第二氧化孔径更小的第三氧化孔径进一步控制高阶模的产生，可有效控制输出激光的单模特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 垂直 发射 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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