[发明专利]Cu互连集成电路用多层合金扩散阻挡层及其制备方法有效
| 申请号： | 202210700880.8 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN114783980B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 徐从康;马赛;张肖;陈箫箫 | 申请（专利权）人： | 亚芯半导体材料（江苏）有限公司;亚芯电子科技（常州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C23C14/35;C23C14/34;C23C14/16;C22C30/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人： | 赵慧 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种Cu互连集成电路用多层合金扩散阻挡层及其制备方法，自下而上依次包括Si衬底层、高熵合金中间阻隔层和Cu膜；所述高熵合金中间阻隔层自上而下依次包括第一涂层、第二涂层、第三涂层、第四涂层以及第五涂层；本发明以NbMoTaW和VCrTiZr高熵合金为靶材，采用直流磁控溅射的方法，在Si基体层上溅镀涂层得到Si‑VCrTiZr‑NbMoTaW‑VCrTiZr‑NbMoTaW‑VCrTiZr‑Cu复合结构的高熵合金扩散阻挡层。所得的Cu互连集成电路高熵合金扩散阻挡层在400℃～750℃下高温退火30min后仍能保持优异的热稳定性和扩散阻挡性能，在Cu互连集成电路上有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | cu 互连 集成电路 多层 合金 扩散 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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