[发明专利]一种微机械锚区释放停止结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210706224.9 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115196581A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 何政达;万蔡辛;赵成龙;陈骁;蒋樱;林谷丰;巩啸风;蔡春华 | 申请（专利权）人： | 无锡韦感半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;武玥 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微机械锚区释放停止结构及其制备方法，所述停止结构包括一层呈“凹”字形的停止层，或包括一层呈“凹”字形的停止层、填充结构和上结构层；其凹坑内侧底部设置为直角或斜角，或其凹坑中心位置设置为一级或多级阶梯式台阶形状，台阶形状为直角或斜角。本发明所述锚区释放停止结构的制备方法包括以下步骤：在下结构上沉积牺牲层，刻蚀牺牲层形成凹坑；沉积释放停止薄膜材料；沉积凹坑填充材料，而后CMP停止在停止薄膜表面；刻蚀去除非必要区域释放停止薄膜；沉积上层结构薄膜材料，图形化上结构层，形成牺牲层释放孔。本发明实现了释放腐蚀精确停止和锚区尺寸精确控制，并且搭配多级台阶，减缓了后续薄膜沉积时的爬坡效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微机 械锚区 释放 停止 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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