[发明专利]半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机及键合方法在审
| 申请号： | 202210709880.4 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115116861A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 柯少颖;李嘉辉;季天;周锦荣;黄志伟 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;B81C3/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 林捷;蔡学俊 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机及键合方法，其特征在于，包括机体，设在机体上的真空腔体和用于将真空腔体进行抽真空的抽真空装置，所述真空腔体内设有用于分别放置待键合加工的半导体晶片的上样品台和下样品台，上样品台与下样品台相对设置且能够相对运动以使位于其上的两半导体晶片贴合；所述真空腔体内设有能够水平移动至两半导体晶片之间的阴极放电板；所述上样品台和下样品台上设有加热器，该加热器产生的热量传递给上样品台和下样品台上所定位的半导体晶片。该半导体晶片表面键合加工用等离子体真空热压键合机可避免键合界面的气泡和氧化层的生成，可提高键合质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 键合加 工用 等离子体 真空 热压 键合机 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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