[发明专利]优化碳电极界面传导的碳纳米管复合spiro-OMeTAD空穴传输层及其制备方法

摘要

本发明公开了一种优化碳电极界面传导的碳纳米管复合spiro‑OMeTAD空穴传输层及其制备方法，本发明采用多壁碳纳米管代替传统用于增加spiro‑OMeTAD导电性的掺杂剂tBP和Li‑TFSI,将多壁碳纳米管均匀分散到无掺杂的spiro‑OMeTAD原溶液中，通过一步旋涂法在钙钛矿表面形成碳纳米管‑spiro‑OMeTAD复合空穴传输层。该方法既调整了太阳能电池的能带结构，并且增强了spiro‑OMeTAD空穴传输层导电性，改善了Li‑TFSI等小分子掺杂导致的spiro‑OMeTAD层吸湿性大的缺点，再者扦插式分布的碳纳米管有助于碳电极与钙钛矿层的接触，使含有此结构的碳电极太阳能电池效率和稳定性得到显著提升。本发明易于操作、原料易得，得到的碳电极太阳能电池效率高、抗湿性强，有利于促进低成本碳电极钙钛矿太阳能电池在实际应用领域的发展进程。