[发明专利]碳化硅晶圆锭切割晶圆片的剥离方法及使用该方法的装置在审
| 申请号： | 202210714072.7 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115091632A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 苗岱;牛进毅 | 申请（专利权）人： | 山西云矽电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 四川和创智慧专利代理有限公司 51350 | 代理人： | 李永生 |
| 地址： | 030032 山西省太原*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆加工技术领域，具体为碳化硅晶圆锭切割晶圆片的剥离方法，包括如下步骤，第一层晶圆片裂解：采用激光光束从SiC晶圆锭上表面辐照改质层，对晶体加热，使之产生热应力效应，同时在晶圆锭圆柱面沿着改质层进行激光刻蚀，形成一圈环切槽，多孔陶瓷吸盘从SiC晶圆锭上表面向下，对第一层晶圆片进行吸附，同时使金属裂片环沿着SiC晶圆锭圆柱面移动至改质层处，使金属裂片环嵌入至改质层的环切槽内，金属裂片环上方，多组外部液氮喷嘴同步向金属裂片环喷射液氮，在液氮的低温作用下，金属裂片环快速降温，金属裂片环在低温下收缩，在金属裂片环收缩时的挤压下，层晶圆片自晶圆锭裂解，简化了液氮存储搬运结构，减少了占地面积。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶圆锭 切割 晶圆片 剥离 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
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