[发明专利]碳化硅半导体功率晶体管及制造其的方法在审
| 申请号： | 202210714181.9 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN116936637A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵;蔡国基 | 申请（专利权）人： | 力拓半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黎艳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市桃园区艺文一*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管和制造其的方法。本发明的碳化硅半导体功率晶体管包括由碳化硅(SiC)制成的衬底、设置在衬底上的漂移层，形成在漂移层上的栅极层、设置在漂移层中的多个第一井拾取区及多个第二井拾取区、多个源极电极以及多个接触件。多个V形槽形成在漂移层中。在各V形槽的底部处的栅极层中形成第一开口，在V形槽之间的漂移层的顶部处的栅极层中形成第二开口。多个接触件设置在第二开口内，以直接接触第二井拾取区。本发明提供优良的开关能量损失效能和开关可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 功率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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